بررسی رسانندگی الکتریکی نانو لوله های کربنی زیگزاگ (0و10) و اثر جذب گاز بر رسانش الکتریکی آن

thesis
abstract

در این پایان نامه هدف اصلی بررسی رسانندگی الکتریکی نانو لوله های کربنی به طور اعم و بررسی رسانش الکتریکی دو نوع نانو لوله نیمه رسانا زیگزاک می باشد. همچنین اثر جذب گاز روی ساختار باند نانو لوله به اختصار بررسی شده است. در فصل اول به طور کلی به معرفی ساختارهای کربنی شامل گرافیت، الماس، نانو-لوله و فلورین پرداخته شده است. در فصل دوم به طور مشخص و مفصل نانولوله های کربنی بررسی و ساختار هندسی آنها مورد بحث قرار گرفته است که شامل سه نوع آرمچیر، زیگزاک و کایرال می باشد. در فصل سوم کاربرد های فراوان نانو لوله های کربنی در علوم پیشرفته معرفی شده است. در فصل چهارم رسانندگی الکتریکی نانو لوله ها، رابطه ی پاشندگی، ساختار باند، تابع گرین معرفی و محاسبات مربوط به آن به طور مفصل انجام شده است. عوامل موثر بر رسانندگی نانو لوله ی نیمه رسانا (زیگزاک) در این فصل بحث شده است و چگالی حالت ها و رابطه ی رسانندگی آمده است. در فصل پنجم به بررسی مقاومت الکتریکی و رسانندگی نانولوله ها می پردازیم و محاسبات و نمودارهای لازم در این فصل آورده شده است. در فصل ششم اثر جذب گاز بر رسانش الکتریکی، نانولوله ی کربنی، نیمه رسانا، زیگزاک بررسی شده است. در این فصل جذب فیزیکی گاز بر خواص نانولوله های کربنی زیگزاگ مورد بحث قرار گرفته است و در ادامه فصل محاسبات لازم هنگامی که ناخالصی وارد سیستم نانولوله می شود انجام شده و نمودارهای مربوط به رسانندگی الکتریکی در پایان فصل آورده شده است. در پیوست الف اثر جذب شیمیایی گاز بر نانولوله کربنی زیگزاگ بررسی شده است. جذب سطحی برخی گازها مانند no2 باعث می شود که نانو لوله ی نیمه رسانا به رسانا تبدیل شود همچنین کاربردهای فراوان این پدیده از جمله استفاده در سنسورهای پیشرفته ی گاز معرفی شده است. معلوم شده که برخی گازها نقش پذیرنده و بعضی دیگر نقش دهنده بار برای نانولوله کربنی دارند. در پیوست ب محاسبات لازم برای تعیین تابع گرین سیستم آشفته انجام شده و روش انتشارگر و روش جایگزیده و تقریب تک سایتی معرفی شده است.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

رسانش الکتریکی همدوس یک نانو لوله کربنی در رهیافت بستگی قوی

In this study, we derive analytically Green’s function (GF) formalism to calculate the electrical conductance for an armchair SWCNT in the ballistic regime. We obtain an exact analytical formula for the conductance of the SWCNT, in the tight-binding approach and assuming nearest-neighbor interaction by recursion process in the GF formalism. We show that in the presence of uniform external poten...

full text

رسانش الکتریکی همدوس یک نانو لوله کربنی در رهیافت بستگی قوی

در این مطالعه ما رسانش الکتریکی یک نانو لوله کربنی ایده ال و یک نانو لوله کربنی در حضور پتانسیل خارجی یکنواخت را به کمک رهیافت بستگی قوی در نظریه پاسخ خطی مطالعه کرده و به کمک این رهیافت در تقریب همسایه نزدیک، به کمک ساز وکار تابع گرین رسانش این دستگاه را به دست می آوریم، نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور پتانسیل خارجی علاوه بر محدودتر شدن ناحیه رسانش تشدیدی، در ابتدای (انتهای) پنجره مجا...

full text

رسانندگی الکتریکی نانونوارهای گرافینی زیگزاگ

گرافین صفحه ای متشکل از اتم های کربن با ساختار شبکه ای لانه زنبوری است. به دلیل خواص رسانندگی منحصر به فردی که دارد امروزه بسیار مورد توجه قرار گرفته است .گرافین یک شبه فلز است که در ساختار نوار آن هیچ گاف انرژی وجود ندارد. با بریدن گرافین به شکل نانو نوارهای گرافینی می توان در ساختار نوار گرافین گاف ایجاد کرد. در این تحقیق به دنبال بررسی خاصیت رسانندگی الکتریکی نانونوارهای گرافینی با لبه زیگزا...

15 صفحه اول

رسانندگی الکتریکی نظریه QCD غیرتعادلی

در این مقاله رسانندگی الکتریکی یک سیستم ناپایدار نظریة QCD در دمای پایین بررسی شده است. یک راه مطالعه چنین سیستم‌هایی، اعمال یک میدان الکتریکی وابسته به زمان و بررسی رفتار زمانی خارج از تعادل سیستم است. اعمال میدان الکتریکی باعث تولید زوج‌های کوارک و آنتی کوارک از فاز محبوس QCD و ایجاد یک جریان الکتریکی می‌شود. با استفاده از رابطة بین شدت میدان الکتریکی اعمال شده و جریان الکتریکی حاصل از آن می‌...

full text

اثر ناخالصی باردار بر رسانش الکتریکی در گرافیت دو بعدی

چکیده در این کار پژوهشی با لحاظ ناخالصی‌های باردار به عنوان مراکز پراکندگی، اثر آن‌ها را روی رسانش متناظر در یک لایه گرافیت دوبعدی مطالعه می‌کنیم. ابتدا با توجه به اهمیت اثر استتار روی ناخالصی‌ها و تابع پلاریزاسیون استاتیک، با استفاده از تقریب جرم مؤثر و معادلهٔ k.p، رسانش را بر حسب چگالی حامل‌های صفحه‌ای در دماهای مختلف محاسبه و رسم می‌کنیم. نشان داده‌ایم که رسانش در دماهای پایین رفتاری ...

full text

رسانندگی الکتریکی نانولوله‌های کربنی و نیترید بور آرمچیر در مدل تنگ‌بست

در این مقاله، چگالی حالت‌ها و رسانندگی الکتریکی نانولوله‌های کربنی و نیترید بور آرمچیر با قطرهای مختلف با استفاده از تقریب تنگ‌بست، رهیافت تابع گرین و رابطۀ رسانندگی کوبو محاسبه می‌شود و نتایج حاصل با چگالی‌حالت‌ها و رسانندگی الکتریکی یک صفحۀ گرافین و نیترید بور مقایسه می‌شود. نتایج نشان می‌دهد که نانولوله‌های کربنی آرمچیر برخلاف صفحۀ گرافین که نیم‌فلز است، همگی رسانا هستند در حالی که نانولوله‌...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده علوم

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023